5月30日，2024年国际汽车新材料大会在安徽省芜湖市顺利召开。31日，大会下设的“半导体新材料”分会场以半导体新材料为主题，各报告嘉宾解读了目前新材料在半导体新材料方向上的研究及应用情况，并提出了未来发展趋势。

　　此会场由国汽轻量化（江苏）汽车技术有限公司产业研究工程师张子军主持，来自中国有研科技集团有限公司、中国科学院理化技术研究所、中国科学院微电子研究所、济南大学、山东大学、元素六、北京石墨烯研究院有限公司的7位专家、教授在本次会议做了相关报告。

　　中国有研科技集团有限公司正高级工程师赵鸿滨的报告题目为《信息领域关键材料发展战略与思考》，向大家介绍了国内外信息领域关键材料，如显示材料、5G通信材料、燃料电池材料的国内外战略布局、国内企业与国外主流企业的技术水平差距、未来发展趋势与发展重点。

　　中国科学院理化技术研究所高级工程师杨增朝的报告题目为《先进硅基陶瓷燃烧合成新进展》，主要介绍了燃烧合成技术制备先进硅基陶瓷粉体如先进结构陶瓷Si3N4、高温超疏水陶瓷Si2N2O、低成本β-SiC气凝胶的最新进展。

　　元素六亚洲战略业务总监秦景霞的报告题目为《金刚石在新能源半导体的应用》，主要介绍了化学气相沉积法和高温高压法制备金刚石材料及其在功率器件、散热材料、量子信息处理等领域的应用。

　　北京石墨烯研究院有限公司总监徐兴的报告题目为《石墨烯材料汽车半导体行业的应用展望》，主要介绍了优质二维材料石墨烯材料的应用工艺路径并着重介绍了石墨烯半导体材料在硅光芯片集成、高性能霍尔传感器的潜在应用场景。

　　中国科学院微电子研究所研究员、博士生导师张青竹的报告题目为《围栅堆叠纳米片场效应晶体管制备及特性研究》，指出了GAA NSFET是FinFET技术之后在3nm及以下节点核心技术结构，介绍了其团队研究和开发出的适用于堆叠纳米线器件制备的多周期GeSi/Si叠层外延、纳米线释放、内侧墙工艺、集成热预算评估等关键模块工艺和兼容主流体硅FinFET工艺的堆叠GAA NS CMOS器件与SRAM单元电路，为国内12吋平台实现GAA技术奠定技术基础，并探索和研究新型GAA器件和三维堆叠CFET设计，实现器件性能和电路密度大幅提升。

　　济南大学研究员逄金波的报告题目为《面向集成电路应用的晶圆级二维材料》，二维材料有很宽的电导率、电磁谱范围，在量子器件、场效应晶体管、探测器等领域有很大应用潜力，逄金波研究员介绍了国际上二维材料的技术发展路径，国内外二维集成电路的进展和晶圆级二维材料制备技术。

　　山东大学副教授穆文祥的报告题目为《氧化镓单晶生长及缺陷研究》，主要介绍了氧化镓研究进展、晶体制备与缺陷分析。

　　随着新能源汽车渗透率的迅速提升，智能座舱、智能驾驶、人机交互等新技术日新月异，半导体材料及相关元器件将是今后的材料开发与产品研发中的重要内容，本次会议嘉宾分享的半导体新材料与相关元器件的技术发展现状和应用等科创板配资，将进一步推动整车科技水平向着更高层次迈进。